住房城鄉(xiāng)建設(shè)部關(guān)于發(fā)布國家標(biāo)準(zhǔn)《硅集成電路芯片工廠設(shè)計規(guī)范》的公告

    現(xiàn)批準(zhǔn)《硅集成電路芯片工廠設(shè)計規(guī)范》為國家標(biāo)準(zhǔn)，編號為GB 50809-2012，自2012年12月1日起實施。其中，第5.2.1、5.3.1、8.2.4、8.3.11條為強制性條文，必須嚴(yán)格執(zhí)行。
    本規(guī)范由我部標(biāo)準(zhǔn)定額研究所組織中國計劃出版社出版發(fā)行。

中華人民共和國住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部
2012年10月11日

引用標(biāo)準(zhǔn)名錄

《建筑設(shè)計防火規(guī)范》GB 50016
《采暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)設(shè)計規(guī)范》GB 50019
《供配電系統(tǒng)設(shè)計規(guī)范》GB 50052
《爆炸和火災(zāi)危險環(huán)境電力裝置設(shè)計規(guī)范》GB 50058
《潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》GB 50073
《工業(yè)企業(yè)噪聲控制設(shè)計規(guī)范》GBJ 87
《火災(zāi)自動報警系統(tǒng)設(shè)計規(guī)范》GB 50116
《建筑內(nèi)部裝修設(shè)計防火規(guī)范》GB 50222
《建筑工程抗震設(shè)防分類標(biāo)準(zhǔn)》GB 50223
《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》GB 50472
《電子工程防靜電設(shè)計規(guī)范》GB 50611
《特種氣體系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB 50646
《電子工廠化學(xué)品系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB 50781
《電磁屏蔽室屏蔽效能的測量方法》GB/T 12190
《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》GB 12348
《鍋爐大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》GB 13271
《化學(xué)品分類和危險性公示 通則》GB 13690
《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》GB 16297

前　言

    本規(guī)范是根據(jù)原建設(shè)部《關(guān)于印發(fā)<2008年工程建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范制定、修訂計劃>的通知(第二批)》(建標(biāo)〔2008〕105號)的要求，由信息產(chǎn)業(yè)電子第十一研究院科技工程股份有限公司會同有關(guān)單位共同編制完成。
　　在規(guī)范編制過程中，編寫組根據(jù)我國硅集成電路芯片工廠的設(shè)計、建造和運行的實際情況，進(jìn)行了大量調(diào)查研究，同時考慮我國目前集成電路生產(chǎn)的現(xiàn)狀，對國外的有關(guān)規(guī)范進(jìn)行深入的研讀，廣泛征求了全國有關(guān)單位與個人的意見，并反復(fù)修改，最后經(jīng)審查定稿。
　　本規(guī)范共分12章，主要內(nèi)容包括：總則、術(shù)語、工藝設(shè)計、總體設(shè)計、建筑與結(jié)構(gòu)、防微振、冷熱源、給排水及消防、電氣、工藝相關(guān)系統(tǒng)、空間管理、環(huán)境安全衛(wèi)生等。
　　本規(guī)范中以黑體字標(biāo)志的條文為強制性條文，必須嚴(yán)格執(zhí)行。
　　本規(guī)范由住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部負(fù)責(zé)管理和對強制性條文的解釋，由工業(yè)和信息化部負(fù)責(zé)日常管理，由信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院科技工程股份有限公司負(fù)責(zé)具體技術(shù)內(nèi)容的解釋。本規(guī)范在執(zhí)行過程中，請各單位結(jié)合工程實踐，認(rèn)真總結(jié)經(jīng)驗，如發(fā)現(xiàn)需要修改和補充之處，請將意見和建議寄至信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院科技工程股份有限公司《硅集成電路芯片工廠設(shè)計規(guī)范》管理組(地址：四川省成都市雙林路251號，郵政編碼：610021，傳真：028-84333172)，以便今后修訂時參考。
　　本規(guī)范主編單位、參編單位、主要起草人和主要審查人：
　　主編單位：信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院科技工程股份有限公司 信息產(chǎn)業(yè)部電子工程標(biāo)準(zhǔn)定額站
　　參編單位：中國電子工程設(shè)計院 中芯國際集成電路制造有限公司 上海華虹NEC微電子有限公司
　　主要起草人：王毅勃 王明云 李驥 肖勁戈 江元升 黃華敬 何武 夏雙兵 陸崎 謝志雯 朱琳 劉娟 劉序忠 高艷敏 朱海英 徐小誠 劉姍宏
　　主要審查人：陳霖新 薛長立 韓方俊 王天龍 劉志弘 彭力 劉嶸侃 李東升 毛煜林 楊琦 周禮譽

       以下規(guī)范內(nèi)容由合潔科技電子凈化工程www.qyglass.com/進(jìn)行整理編輯

1 總 則

1.0.1 為在硅集成電路芯片工廠設(shè)計中貫徹執(zhí)行國家現(xiàn)行法律、法規(guī)，滿足硅集成電路芯片生產(chǎn)要求，確保人身和財產(chǎn)安全，做到安全適用、技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟合理、環(huán)境友好，制定本規(guī)范。

1.0.2 本規(guī)范適用于新建、改建和擴建的硅集成電路芯片工廠的工程設(shè)計。

1.0.3 硅集成電路芯片工廠的設(shè)計應(yīng)滿足硅集成電路芯片生產(chǎn)工藝要求，同時應(yīng)為施工安裝、調(diào)試檢測、安全運行、維護管理提供必要條件。

1.0.4 硅集成電路芯片工廠的設(shè)計，除應(yīng)符合本規(guī)范外，尚應(yīng)符合國家現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。

2 術(shù) 語

2.0.1 硅片 wafer
　　從拉伸長出的高純度單晶硅的晶錠經(jīng)滾圓、切片及拋光等工序加工后所形成的硅單晶薄片。

2.0.2 線寬 critical dimension
　　為所加工的集成電路電路圖形中最小線條寬度，也稱為特征尺寸。

2.0.3 潔凈室 clean room
　　空氣懸浮粒子濃度受控的房間。

2.0.4 空氣分子污染 airborne molecular contaminant
　　空氣中所含的對集成電路芯片制造產(chǎn)生有害影響的分子污染物。

2.0.5 標(biāo)準(zhǔn)機械接口 standard mechanical interface
　　適用于不同生產(chǎn)設(shè)備的一種通用型接口裝置，可將硅片自動載入設(shè)備，并在加工結(jié)束后將硅片送出，同時保護硅片不受外界環(huán)境污染。

2.0.6 港灣式布置 bay and chase
　　生產(chǎn)工藝設(shè)備按不同的潔凈等級進(jìn)行布置，并以隔墻分隔生產(chǎn)區(qū)和維修區(qū)。

2.0.7 大空間式布置 ball room
　　生產(chǎn)工藝設(shè)備布置在同一個區(qū)域，全區(qū)采用同一潔凈等級，未劃分生產(chǎn)區(qū)和維修區(qū)。

2.0.8 自動物料處理系統(tǒng) automatic material handling system(AMHS)
　　在硅集成電路芯片工廠內(nèi)部將硅片和掩模板在不同的工藝設(shè)備或不同的存儲區(qū)域之間進(jìn)行傳輸、存儲和分發(fā)的自動化系統(tǒng)。

2.0.9 純水 pure water
　　根據(jù)生產(chǎn)需要，去除生產(chǎn)所不希望保留的各種離子以及其他雜質(zhì)的水。

2.0.10 緊急應(yīng)變中心 emergency response center
　　內(nèi)設(shè)各種安全報警系統(tǒng)和救災(zāi)設(shè)備的安全值班室，為24h事故處理中心和指揮中心。

3 工藝設(shè)計

3.1 一般規(guī)定

3.1.1 硅集成電路芯片工廠的工藝設(shè)計應(yīng)符合下列要求：
    1 滿足產(chǎn)品生產(chǎn)的成品率的要求;
    2 滿足工廠產(chǎn)能的要求;
    3 具有工廠今后擴展的靈活性;
    4 滿足節(jié)能、環(huán)保、職業(yè)衛(wèi)生與安全方面的要求。

3.1.2 硅集成電路芯片工廠設(shè)計時應(yīng)合理設(shè)置各種生產(chǎn)條件，在滿足硅集成電路生產(chǎn)要求的前提下，宜投資少、運行費用低、生產(chǎn)效率高。

3.2 技術(shù)選擇

3.2.1 生產(chǎn)的工藝技術(shù)和配套的設(shè)備應(yīng)按硅集成電路芯片工廠的產(chǎn)品類型、月最大產(chǎn)能、生產(chǎn)制造周期、投資金額、長期發(fā)展進(jìn)程等因素確定。

3.2.2 對于線寬在0.35μm及以上工藝的硅集成電路的研發(fā)和生產(chǎn)，宜采用4英寸～6英寸芯片生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行加工。

3.2.3 對于線寬在0.13μm及以上工藝的硅集成電路的研發(fā)和生產(chǎn)，宜采用8英寸芯片生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行加工。

3.2.4 對于線寬在20nm～90nm工藝及以下的硅集成電路的研發(fā)和生產(chǎn)，宜采用12英寸芯片生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行加工。

3.3 工藝布局

3.3.1 工藝布置應(yīng)滿足產(chǎn)品類型、規(guī)劃和產(chǎn)能目標(biāo)的要求。

3.3.2 工藝布局應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工序分為包含光刻、刻蝕、清洗、 氧化/擴散、濺射、化學(xué)氣相淀積、離子注入等工序在內(nèi)的核心生產(chǎn)區(qū)，以及包括更衣、物料凈化、測試等工序在內(nèi)的生產(chǎn)支持區(qū)。

3.3.3 核心生產(chǎn)區(qū)的布局應(yīng)圍繞光刻工序為中心進(jìn)行布置(圖3.3.3)，工藝布局應(yīng)縮短硅片傳送距離，并應(yīng)避免硅片發(fā)生工序間交叉污染。

3.3.4 4英寸～6英寸芯片核心生產(chǎn)區(qū)宜采用港灣式布局。

3.3.5 8英寸～12英寸芯片核心生產(chǎn)區(qū)宜采用微環(huán)境和標(biāo)準(zhǔn)機械接口系統(tǒng)，并宜采用大空間式布局。

3.3.6 8英寸～12英寸芯片核心生產(chǎn)區(qū)宜將生產(chǎn)輔助設(shè)備布置在下技術(shù)夾層。

3.3.7 工藝設(shè)備的間隔應(yīng)滿足相鄰設(shè)備的維修和操作需求。

3.3.8 操作人員走道的寬度應(yīng)符合下列原則：
　　1 應(yīng)滿足設(shè)備正常操作的需要;
　　2 應(yīng)滿足人員通行和材料搬運的需要;
　　3 應(yīng)滿足材料暫存的需要。

3.3.9 生產(chǎn)廠房宜設(shè)置參觀走道，并應(yīng)避免影響生產(chǎn)的人流和物流路線以及應(yīng)急疏散。

3.3.10 8英寸～12英寸芯片生產(chǎn)宜根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模設(shè)置自動物料處理系統(tǒng)(AMHS)。

4 總體設(shè)計

4.1 廠址選擇

4.1.1 廠址選擇應(yīng)符合國家及地方的總體規(guī)劃、技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)、環(huán)境保護等要求，并應(yīng)符合企業(yè)自身發(fā)展的需要，基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)良。

4.1.2 廠址所在區(qū)域應(yīng)大氣含塵量低，并應(yīng)無洪水、潮水、內(nèi)澇、颶風(fēng)、雷暴威脅。

4.1.3 廠址場地應(yīng)相對平整，距外界強振動源及強電磁干擾源較遠(yuǎn)。

4.2 總體規(guī)劃及布局

4.2.1 工廠廠區(qū)應(yīng)包括辦公、生產(chǎn)、動力、倉儲等功能區(qū)域，并應(yīng)以生產(chǎn)區(qū)為核心進(jìn)行布置。

4.2.2 廠區(qū)宜結(jié)合工廠發(fā)展情況預(yù)留發(fā)展用地。

4.2.3 廠區(qū)的人流、物流出入口應(yīng)分開設(shè)置。

4.2.4 工廠的動力設(shè)施宜集中布置并靠近工廠的負(fù)荷中心。

4.2.5 廠區(qū)內(nèi)車輛停放場地應(yīng)滿足當(dāng)?shù)匾?guī)劃要求。

4.2.6 動力設(shè)施主要噪聲源宜集中布置，并應(yīng)確保場區(qū)邊界的噪聲強度分別符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《工業(yè)企業(yè)噪聲控制設(shè)計規(guī)范》GBJ 87及《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》GB 12348的限值規(guī)定。

4.2.7 廠區(qū)內(nèi)應(yīng)設(shè)置消防車道。

4.2.8 工廠廠區(qū)內(nèi)宜規(guī)劃設(shè)備臨時存儲場。

4.2.9 廠區(qū)道路面層應(yīng)選用整體性能好、發(fā)塵少的材料。

4.2.10 廠區(qū)綠化不應(yīng)種植易產(chǎn)生花粉及飛絮的植物。

5 建筑與結(jié)構(gòu)

5.1 建 筑

5.1.1 硅集成電路芯片工廠的建筑平面和空間布局應(yīng)適應(yīng)工廠發(fā)展及技術(shù)升級。

5.1.2 硅集成電路芯片工廠應(yīng)包括芯片生產(chǎn)廠房、動力廠房、辦公樓和倉庫等建筑。生產(chǎn)廠房、辦公樓、動力廠房之間的人流宜采用連廊進(jìn)行聯(lián)系。

5.1.3 生產(chǎn)廠房的外墻應(yīng)采用滿足硅集成電路芯片生產(chǎn)對環(huán)境的氣密、保溫、隔熱、防火、防潮、防塵、耐久、易清洗等要求的材料。

5.1.4 生產(chǎn)廠房外墻應(yīng)設(shè)有設(shè)備搬入的吊裝口及吊裝平臺。

5.1.5 生產(chǎn)廠房建筑及裝修應(yīng)避免采用含揮發(fā)性有機物的材料和溶劑。

5.1.6 生產(chǎn)廠房應(yīng)設(shè)置與生產(chǎn)設(shè)備尺寸和重量匹配的貨運電梯。

5.1.7 生產(chǎn)廠房內(nèi)應(yīng)設(shè)有工藝設(shè)備、動力設(shè)備的運輸安裝通道;搬運通道區(qū)域的高架地板應(yīng)滿足搬入設(shè)備荷載要求。

5.1.8 生產(chǎn)廠房中技術(shù)夾層、技術(shù)夾道的建筑設(shè)計，應(yīng)滿足各種風(fēng)管和各種動力管線安裝、維修要求。

5.1.9 生產(chǎn)廠房外墻和室內(nèi)裝修材料的選擇應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《建筑內(nèi)部裝修設(shè)計防火規(guī)范》GB 50222和《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》GB 50472的規(guī)定。

5.2 結(jié) 構(gòu)

5.2.1 抗震設(shè)防區(qū)的硅集成電路芯片工廠建筑物應(yīng)按現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《建筑工程抗震設(shè)防分類標(biāo)準(zhǔn)》GB 50223的規(guī)定確定抗震設(shè)防類別及抗震設(shè)防標(biāo)準(zhǔn)。

5.2.2 生產(chǎn)廠房的主體結(jié)構(gòu)宜采用鋼筋混凝土結(jié)構(gòu)、鋼結(jié)構(gòu)或鋼筋混凝土結(jié)構(gòu)和鋼結(jié)構(gòu)的組合，并應(yīng)具有防微振、防火、密閉、防水、控制溫度變形和不均勻沉降性能。

5.2.3 生產(chǎn)廠房宜采用大柱網(wǎng)大空間結(jié)構(gòu)形式，柱網(wǎng)尺寸宜為600mm的模數(shù)。

5.2.4 生產(chǎn)廠房變形縫不宜穿越潔凈生產(chǎn)區(qū)。

5.3 防火疏散

5.3.1 硅集成電路芯片廠房的火災(zāi)危險性分類應(yīng)為丙類，耐火等級不應(yīng)低于二級。

5.3.2 芯片生產(chǎn)廠房內(nèi)防火分區(qū)的劃分應(yīng)滿足工藝生產(chǎn)的要求，并應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》GB 50472的規(guī)定。

5.3.3 潔凈區(qū)的上技術(shù)夾層、下技術(shù)夾層和潔凈生產(chǎn)層，當(dāng)按其構(gòu)造特點和用途作為同一防火分區(qū)時，上、下技術(shù)夾層的面積可不計入防火分區(qū)的建筑面積，但應(yīng)分別采取相應(yīng)的消防措施。

5.3.4 每一生產(chǎn)層、每個防火分區(qū)或每一潔凈區(qū)的安全出口設(shè)計，應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 安全出口數(shù)量應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》GB 50073的相關(guān)規(guī)定;
　　2 安全出口應(yīng)分散布置，并應(yīng)設(shè)有明顯的疏散標(biāo)志;
　　3 安全疏散距離可根據(jù)生產(chǎn)工藝確定，但應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》GB 50472的規(guī)定。

6 防 微 振

6.1 一般規(guī)定

6.1.1 硅集成電路芯片廠房應(yīng)滿足光刻及測試設(shè)備的防微振要求。

6.1.2 硅集成電路芯片廠房的選址應(yīng)對場地周圍的振源進(jìn)行充分的調(diào)查與評估。

6.1.3 廠址選擇除既有環(huán)境的振源外，尚應(yīng)計及在未來可能產(chǎn)生的振源對擬建廠房的影響。

6.1.4 振動大的動力設(shè)備和運輸工具等應(yīng)遠(yuǎn)離對振動敏感的凈化生產(chǎn)區(qū)域，動力廠房與生產(chǎn)廠房不宜貼近布置。

6.1.5 硅集成電路芯片廠房宜在下列階段進(jìn)行微振測試和評價：
　　1 在建設(shè)前，對場地素地進(jìn)行測試和評價;
　　2 生產(chǎn)廠房結(jié)構(gòu)體完工后，對于布置光刻及測試設(shè)備的區(qū)域進(jìn)行測試;
　　3 生產(chǎn)廠房竣工時，對布置光刻及測試設(shè)備的區(qū)域進(jìn)行測試。

6.2 結(jié) 構(gòu)

6.2.1 生產(chǎn)廠房防微振除應(yīng)計及場地振動外，尚應(yīng)計及動力設(shè)備、潔凈區(qū)機電系統(tǒng)、物料傳輸系統(tǒng)運行中產(chǎn)生的振動，以及人員走動的影響。

6.2.2 生產(chǎn)廠房結(jié)構(gòu)宜采用在下夾層實施小柱距柱網(wǎng)或在下夾層設(shè)置防振墻或柱間支撐等有利于微振控制的措施。

6.2.3 生產(chǎn)廠房結(jié)構(gòu)分析時應(yīng)計及由于防微振需要所設(shè)的支撐或防振墻等抗側(cè)力構(gòu)件的影響。

6.2.4 生產(chǎn)廠房的地面宜采用厚板型鋼筋混凝土地面。布置微振敏感設(shè)備區(qū)域的建筑地坪厚度不宜小于300mm。當(dāng)鋼筋混凝土地面兼作上部結(jié)構(gòu)的筏板基礎(chǔ)時，厚度不宜小于600mm。

6.3 機 械

6.3.1 動力設(shè)備應(yīng)采取動平衡好、運行平穩(wěn)、低噪聲的產(chǎn)品。

6.3.2 對于易產(chǎn)生振動的動力設(shè)備及管道應(yīng)采取隔振、減振措施。

6.3.3 對于靠近振動敏感區(qū)的管道應(yīng)控制管道內(nèi)介質(zhì)的流速。

6.3.4 精密設(shè)備和儀器的防微振宜采用專用防振基座，其基座平臺的基本頻率應(yīng)避開其下支承結(jié)構(gòu)的共振頻率和其他振源的共振頻率。

7 冷 熱 源

7.0.1 硅集成電路芯片廠房的冷熱源設(shè)置應(yīng)滿足當(dāng)?shù)貧夂?、能源結(jié)構(gòu)、技術(shù)經(jīng)濟指標(biāo)及環(huán)保規(guī)定，并應(yīng)符合下列要求：
　　1 宜采用集中設(shè)置的冷熱水機組和供熱、換熱設(shè)備，供應(yīng)應(yīng)連續(xù)可靠;
　　2 應(yīng)采用城市、區(qū)域供熱和當(dāng)?shù)毓S余熱;
　　3 可采用燃?xì)忮仩t、燃?xì)鉄崴畽C組供熱或燃?xì)怃寤囄帐嚼錈崴畽C組供冷、供熱;
　　4 可采用燃煤鍋爐、燃油鍋爐供熱，電動壓縮式冷水機組供冷和吸收式冷熱水機組供冷、供熱。

7.0.2 在需要同時供冷和供熱的工況下，冷水機組宜根據(jù)負(fù)荷要求選用熱回收機組，并應(yīng)采用自動控制的方式調(diào)節(jié)機組的供熱量。

7.0.3 冷熱源設(shè)備臺數(shù)和單臺容量應(yīng)根據(jù)全年冷熱負(fù)荷工況合理選擇，并應(yīng)保證設(shè)備在高、低負(fù)荷工況下均能安全、高效運行，冷熱源設(shè)備不宜少于2臺。

7.0.4 過渡季節(jié)或冬季需用一定量的供冷負(fù)荷時，可利用冷卻塔作為冷源設(shè)備。

7.0.5 冷水機組的冷凍水供、回水溫差不應(yīng)小于5℃，在滿足工藝及空調(diào)用冷凍水溫度的前提下，應(yīng)加大冷凍水供、回水溫差和提高冷水機組的出水溫度。

7.0.6 非熱回收水冷式冷水機組的常溫冷卻水的熱量宜回收利用。

7.0.7 當(dāng)冷負(fù)荷變化較大時，冷源系統(tǒng)設(shè)備宜采用變頻調(diào)速控制。

7.0.8 電動壓縮式制冷機組的制冷劑應(yīng)符合有關(guān)環(huán)保的要求，采用過渡制冷劑時，其使用年限應(yīng)符合國家禁用時間。

7.0.9 燃油燃?xì)忮仩t應(yīng)選用帶比例調(diào)節(jié)燃燒器的全自動鍋爐，且每臺鍋爐宜獨立設(shè)置煙囪，煙囪的高度應(yīng)符合相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)及當(dāng)?shù)丨h(huán)保要求的規(guī)定。

7.0.10 鍋爐房排放的大氣污染物，應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《鍋爐大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》GB 13271和《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》GB 16297的規(guī)定，以及所在地區(qū)有關(guān)大氣污染物排放的規(guī)定。

8 給排水及消防

8.1 一般規(guī)定

8.1.1 給排水系統(tǒng)應(yīng)滿足生產(chǎn)、生活、消防以及環(huán)保等要求，應(yīng)在水量平衡的基礎(chǔ)上提高節(jié)約用水和循環(huán)用水的水平，并應(yīng)做到技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟合理、節(jié)水節(jié)能、減少排污。

8.1.2 給排水系統(tǒng)應(yīng)在滿足使用要求的同時為施工安裝、操作管理、維修檢測和安全保護提供基礎(chǔ)條件。

8.1.3 給排水管道穿過房間墻壁、樓板和頂棚時應(yīng)設(shè)套管，管道和套管之間應(yīng)采取密封措施。無法設(shè)置套管的部位也應(yīng)采取密封措施。

8.1.4 給排水管道在可能凍結(jié)的區(qū)域應(yīng)采取防凍措施，外表面可能產(chǎn)生結(jié)露的管道應(yīng)采取防結(jié)露措施。潔凈區(qū)內(nèi)給排水管道絕熱結(jié)構(gòu)的最外層應(yīng)采用不發(fā)塵材料。

8.2 給 排 水

8.2.1 給水系統(tǒng)應(yīng)按生產(chǎn)、生活、消防等對水質(zhì)、水壓、水溫的不同要求分別設(shè)置。

8.2.2 生產(chǎn)和生活給水系統(tǒng)宜利用市政給水管網(wǎng)的水壓直接供水。

8.2.3 當(dāng)市政給水管網(wǎng)的水壓、水量不足時，生產(chǎn)、生活給水系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置貯水裝置和加壓裝置進(jìn)行調(diào)節(jié)。貯水裝置不得影響水質(zhì)并設(shè)有水位指示。加壓裝置宜采用變頻調(diào)速設(shè)備，并應(yīng)設(shè)置備用泵，備用泵供水能力不應(yīng)小于供水泵中最大一臺的供水能力。

8.2.4 不同水源、水質(zhì)的用水應(yīng)分系統(tǒng)供水。嚴(yán)禁將城市自來水管道與自備水源或回用水源的給水管道直接連接。

8.2.5 生產(chǎn)廢水的排水系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)廢水的污染因子、廢水濃度、產(chǎn)水流量以及廢水處理的工藝確定，宜采用重力流的方式自流至廢水處理站。

8.2.6 生產(chǎn)廢水干管宜設(shè)置在地溝或生產(chǎn)廠房下夾層內(nèi)，嚴(yán)寒地區(qū)的室外管溝內(nèi)的排水管應(yīng)采取保溫防凍措施。

8.2.7 排放腐蝕性廢水的架空管道應(yīng)采用雙層管道，不宜采用法蘭連接。如必須采用時，法蘭處應(yīng)采取防滲漏措施。

8.2.8 潔凈區(qū)內(nèi)工藝設(shè)備的生產(chǎn)排水宜采用接管排水，設(shè)備附近宜設(shè)置事故地漏。排水干管宜設(shè)置透氣系統(tǒng)。

8.2.9 潔凈區(qū)內(nèi)應(yīng)采用不易積存污物、易于清洗的衛(wèi)生設(shè)備、管道、管架及其附件。

8.2.10 有害化學(xué)品貯存間和配送間應(yīng)設(shè)置用于輸送事故泄漏的化學(xué)藥劑和消防排水至安全場所的排水措施。

8.2.11 用于貯存事故泄漏的化學(xué)藥劑及消防排水的室內(nèi)地溝等設(shè)施的貯存容積不應(yīng)小于最大罐化學(xué)藥劑容積。

8.3 消 防

8.3.1 硅集成電路芯片工廠除應(yīng)采取防火措施以外，還應(yīng)結(jié)合我國當(dāng)前的技術(shù)、經(jīng)濟條件，配置必要的滅火設(shè)施。

8.3.2 潔凈區(qū)內(nèi)除應(yīng)設(shè)置室內(nèi)消火栓系統(tǒng)、自動噴水滅火系統(tǒng)和滅火器系統(tǒng)外，還應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝或設(shè)備的具體條件和要求，有針對性的設(shè)置其他消防設(shè)備。

8.3.3 消防水泵應(yīng)設(shè)備用泵，消防泵房應(yīng)設(shè)置備用動力源。

8.3.4 廠房室外消防給水可采用高壓、臨時高壓或低壓給水系統(tǒng)，并應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計防火規(guī)范》GB 50016的規(guī)定。

8.3.5 生產(chǎn)廠房潔凈生產(chǎn)層及上、下技術(shù)夾層除不通行的技術(shù)夾層外，應(yīng)根據(jù)面積大小、設(shè)備臺數(shù)等設(shè)置室內(nèi)消火栓。

8.3.6 設(shè)置于生產(chǎn)廠房內(nèi)的室內(nèi)消火栓宜設(shè)單獨隔斷閥門。

8.3.7 生產(chǎn)廠房潔凈生產(chǎn)層及潔凈區(qū)吊頂或技術(shù)夾層內(nèi)，均應(yīng)設(shè)置自動噴水滅火系統(tǒng)，設(shè)計參數(shù)宜按表8.3.7規(guī)定確定。

表8.3.7  自動噴水滅火系統(tǒng)設(shè)計參數(shù)

8.3.8 潔凈區(qū)的建筑構(gòu)造材料為非可燃物且該區(qū)域內(nèi)也無其他可燃物的存在時，該區(qū)域可不設(shè)自動噴水滅火系統(tǒng)。

8.3.9 垂直單向流的潔凈區(qū)和潔凈區(qū)域應(yīng)使用快速響應(yīng)噴頭。

8.3.10 潔凈區(qū)吊頂下噴頭宜采用不銹鋼柔性接管與自動噴水滅火系統(tǒng)供水管道相連接。

8.3.11 存放易燃易爆的特種氣體氣瓶柜間內(nèi)應(yīng)設(shè)置自動噴水滅火系統(tǒng)噴頭。

8.3.12 在硅烷配送區(qū)域應(yīng)設(shè)置直接作用于各氣瓶的水噴霧系統(tǒng)，系統(tǒng)的動作信號應(yīng)來自火災(zāi)探測器，且火災(zāi)探測器應(yīng)與氣瓶上的自動關(guān)斷閥聯(lián)動。　　

8.3.13 工藝排風(fēng)管道的消防保護應(yīng)符合下列要求：
　　1 設(shè)置于廠房內(nèi)，用于輸送可燃?xì)怏w且最大等效內(nèi)徑大于或等于250mm的金屬或其他非可燃材質(zhì)的排風(fēng)管道，應(yīng)在風(fēng)管內(nèi)設(shè)置噴頭;
　　2 風(fēng)管內(nèi)自動噴水滅火系統(tǒng)的設(shè)計噴水強度不得小于1.9L/min·m²，風(fēng)管內(nèi)自動噴水滅火系統(tǒng)設(shè)計流量應(yīng)滿足最遠(yuǎn)端5個噴頭的出水量，單個噴頭實際出水量不應(yīng)小于76L/min，水平風(fēng)管內(nèi)噴頭距離不得大于6.1m，垂直風(fēng)管內(nèi)噴頭最大間距不得大于3.7m;
　　3 為風(fēng)管內(nèi)噴頭供水的干管上應(yīng)設(shè)置獨立的信號控制閥;
　　4 設(shè)置噴頭保護的排風(fēng)管應(yīng)設(shè)置避免消防噴水蓄積的排水措施;
　　5 安裝在腐蝕性氣體風(fēng)管內(nèi)的噴頭及管件應(yīng)采取防腐蝕材質(zhì)或襯涂合適的防腐材料;
　　6 風(fēng)管內(nèi)噴頭的安裝應(yīng)便于定期維護檢修。

8.4 滅 火 器

8.4.1 在潔凈區(qū)內(nèi)應(yīng)設(shè)置滅火器。

8.4.2 潔凈區(qū)內(nèi)宜選用二氧化碳等對工藝設(shè)備和潔凈區(qū)環(huán)境不產(chǎn)生污染和腐蝕作用的滅火劑。

8.4.3 在潔凈區(qū)內(nèi)的通道上宜設(shè)置推車式二氧化碳滅火器。

8.4.4 其他滅火劑的選擇應(yīng)計及配置場所的火災(zāi)類型、滅火能力、污損程度、使用的環(huán)境溫度以及與可燃物的相容性。

9 電 氣

9.1 供 配 電

9.1.1 硅集成電路芯片工廠應(yīng)根據(jù)當(dāng)?shù)仉娋W(wǎng)結(jié)構(gòu)以及工廠負(fù)荷容量確定合理的供電電壓。

9.1.2 硅集成電路芯片工廠用電負(fù)荷等級應(yīng)為一級，其供電品質(zhì)應(yīng)滿足芯片生產(chǎn)工藝及設(shè)備的要求，并應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《供配電系統(tǒng)設(shè)計規(guī)范》GB 50052、《爆炸和火災(zāi)危險環(huán)境電力裝置設(shè)計規(guī)范》GB 50058及《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》GB 50472的規(guī)定。

9.1.3 硅集成電路芯片廠房配電電壓等級應(yīng)符合生產(chǎn)工藝設(shè)備及動力設(shè)備的要求。

9.1.4 硅集成電路芯片廠房的供電系統(tǒng)應(yīng)將生產(chǎn)工藝設(shè)備與動力設(shè)備的供電分設(shè)，生產(chǎn)工藝設(shè)備宜采用獨立的變壓器供電并采取抑制浪涌的措施。帶電導(dǎo)體系統(tǒng)的形式宜采用單相二線制、三相三線制、三相四線制，系統(tǒng)接地型式宜采用TN-S或TN-C-S系統(tǒng)。

9.1.5 對于有特殊要求的工藝設(shè)備，應(yīng)設(shè)不間斷電源(UPS)或備用發(fā)電裝置。

9.2 照 明

9.2.1 硅集成電路芯片工廠生產(chǎn)區(qū)域照明的照度值應(yīng)根據(jù)工藝生產(chǎn)的要求確定。

9.2.2 生產(chǎn)廠房技術(shù)夾層內(nèi)宜設(shè)置檢修照明。

9.2.3 生產(chǎn)廠房內(nèi)應(yīng)設(shè)置供人員疏散用應(yīng)急照明，其照度不應(yīng)低于5.0lx。在安全出入口、疏散通道或疏散通道轉(zhuǎn)角處應(yīng)設(shè)置疏散標(biāo)志。在專用消防口應(yīng)設(shè)置紅色應(yīng)急照明指示燈。

9.2.4 生產(chǎn)廠房潔凈區(qū)宜選用吸頂明裝、不易積塵、便于清潔的燈具。當(dāng)采用嵌入式燈具時，其安裝縫隙應(yīng)采取密封措施。

9.2.5 生產(chǎn)廠房的光刻區(qū)應(yīng)采用黃色光源，黃光的波長應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝要求確定。

9.2.6 生產(chǎn)廠房備用照明的設(shè)置應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 潔凈區(qū)內(nèi)應(yīng)設(shè)計備用照明;
　　2 備用照明宜作為正常照明的一部分，且不應(yīng)低于該場所一般照明照度值的20%。

9.3 接 地

9.3.1 生產(chǎn)設(shè)備的功能性接地應(yīng)小于1Ω，有特殊接地要求的設(shè)備，應(yīng)按設(shè)備要求的電阻值設(shè)計接地系統(tǒng)。

9.3.2 功能性接地、保護性接地、電磁兼容性接地、建筑防雷接地，宜采用共用接地系統(tǒng)，接地電阻值應(yīng)按其中最小值確定。

9.3.3 生產(chǎn)設(shè)備的功能性接地與其他接地分開設(shè)置時，應(yīng)采取防止雷電反擊措施。分開設(shè)置的接地系統(tǒng)接地極宜與共用接地系統(tǒng)接地極保持20m以上的間距。

9.4 防 靜 電

9.4.1 硅集成電路芯片廠房生產(chǎn)區(qū)應(yīng)為一級防靜電工作區(qū)。

9.4.2 防靜電工作區(qū)的地面和墻面、柱面應(yīng)采用導(dǎo)靜電型材料。導(dǎo)靜電型地面、墻面、柱面的表面電阻、對地電阻應(yīng)為2.5×10⁴Ω～1×10⁶Ω，摩擦起電電壓不應(yīng)大于100V，靜電半衰期不應(yīng)大于0.1s。

9.4.3 防靜電工作區(qū)內(nèi)不得選用短效型靜電材料及制品，并應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝的需要設(shè)置靜電消除器、防靜電安全工作臺。

9.4.4 防靜電環(huán)境的門窗選擇應(yīng)符合下列要求： 
　　1 應(yīng)選用靜電耗散材料制作門窗或采用靜電耗散型材料貼面; 
　　2 金屬門窗表面應(yīng)涂刷靜電耗散型涂層，并應(yīng)接地; 
　　3 室內(nèi)隔斷和觀察窗安裝大面積玻璃時，其表面應(yīng)粘貼靜電耗散型透明薄膜或噴涂靜電耗散型涂層。

9.4.5 防靜電環(huán)境的凈化空調(diào)系統(tǒng)送風(fēng)口和風(fēng)管，應(yīng)選用導(dǎo)電材料制作，并應(yīng)接地。

9.4.6 防靜電環(huán)境的凈化空調(diào)系統(tǒng)、各種配管使用部分絕緣性材質(zhì)時，應(yīng)在其表面安裝緊密結(jié)合的金屬網(wǎng)并將其接地。當(dāng)使用導(dǎo)電性橡膠軟管時，應(yīng)在軟管上安裝與其緊密結(jié)合的金屬導(dǎo)體，并應(yīng)用接地引線與其可靠接地。

9.4.7 生產(chǎn)廠房內(nèi)金屬物體包括潔凈室的墻面、門窗、吊頂?shù)慕饘俟羌軕?yīng)與接地系統(tǒng)做可靠連接;導(dǎo)靜電地面、防靜電活動地板、工作臺面、座椅等應(yīng)做防靜電接地。

9.4.8 生產(chǎn)廠房防靜電接地設(shè)計及其他要求，應(yīng)按現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《電子工程防靜電設(shè)計規(guī)范》GB 50611的有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。

9.5 通信與安全保護

9.5.1 硅集成電路芯片工廠內(nèi)應(yīng)設(shè)通信設(shè)施，并應(yīng)符合下列要求：
　　1 廠房內(nèi)電話/數(shù)據(jù)布線應(yīng)采用綜合布線系統(tǒng)，綜合布線系統(tǒng)的配線間或配線柜不應(yīng)設(shè)置在布置工藝設(shè)備的潔凈區(qū)內(nèi);
　　2 應(yīng)設(shè)置生產(chǎn)、辦公及動力區(qū)之間聯(lián)系的語音通信系統(tǒng);
　　3 應(yīng)根據(jù)管理及工藝的需要設(shè)置數(shù)據(jù)通信局域網(wǎng)及與因特網(wǎng)連接的接入網(wǎng);
　　4 宜設(shè)置集中式數(shù)據(jù)中心。

9.5.2 生產(chǎn)廠房應(yīng)設(shè)置火災(zāi)自動報警系統(tǒng)，其防護對象的等級不應(yīng)低于一級，火災(zāi)自動報警系統(tǒng)形式應(yīng)采用控制中心報警系統(tǒng)，并應(yīng)符合下列要求：
　　1 應(yīng)設(shè)有消防控制中心，并應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計防火規(guī)范》GB 50016的規(guī)定;
　　2 生產(chǎn)廠房內(nèi)火災(zāi)探測應(yīng)采用智能型探測器。在封閉房間內(nèi)使用或存儲易燃、易爆氣體及有機溶劑時，房間內(nèi)應(yīng)設(shè)置火焰探測器;
　　3 生產(chǎn)廠房潔凈區(qū)內(nèi)凈化空調(diào)系統(tǒng)混入新風(fēng)前的回風(fēng)氣流中，宜設(shè)置高靈敏度早期報警火災(zāi)探測器;
　　4 在潔凈區(qū)空氣處理設(shè)備的新風(fēng)或循環(huán)風(fēng)的回風(fēng)口處，宜設(shè)風(fēng)管型火災(zāi)探測器。

9.5.3 生產(chǎn)廠房應(yīng)設(shè)置火災(zāi)自動報警及消防聯(lián)動控制?？刂圃O(shè)備的控制及顯示功能應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計防火規(guī)范》GB 50016及《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》GB 50472的規(guī)定。

9.5.4 生產(chǎn)廠房應(yīng)設(shè)置氣體泄漏報警裝置，并應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計防火規(guī)范》GB 50016及《特種氣體系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB 50646的規(guī)定。

9.5.5 生產(chǎn)廠房應(yīng)設(shè)化學(xué)品液體泄漏報警裝置，并應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《電子工廠化學(xué)品系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB 50781的規(guī)定。

9.5.6 生產(chǎn)廠房應(yīng)設(shè)置廣播系統(tǒng)，潔凈區(qū)內(nèi)應(yīng)采用潔凈室型揚聲器。當(dāng)廣播系統(tǒng)兼事故應(yīng)急廣播系統(tǒng)時，應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《火災(zāi)自動報警系統(tǒng)設(shè)計規(guī)范》GB 50116的有關(guān)規(guī)定。

9.5.7 芯片工廠內(nèi)應(yīng)設(shè)置閉路電視監(jiān)控系統(tǒng)，監(jiān)控攝像機宜采用彩色攝像機，閉路電視監(jiān)控系統(tǒng)監(jiān)控圖像存儲時間不應(yīng)少于15d。

9.5.8 芯片工廠內(nèi)宜設(shè)置門禁系統(tǒng)，所有進(jìn)入潔凈區(qū)的通道均應(yīng)設(shè)置通道控制，潔凈區(qū)內(nèi)門禁讀卡器宜采用非接觸型。

9.6 電 磁 屏 蔽

9.6.1 硅集成電路芯片生產(chǎn)相關(guān)工序的房間和測量、儀表計量房間，凡屬下列情況之一，應(yīng)采取電磁屏蔽措施：
　　1 環(huán)境的電磁場強度超過生產(chǎn)設(shè)備和儀器正常使用的允許值;
　　2 生產(chǎn)設(shè)備及儀器產(chǎn)生的電磁泄漏超過干擾相鄰區(qū)域所允許的環(huán)境電磁場強度值;
　　3 有特殊電磁兼容要求時。

9.6.2 環(huán)境電磁場場強宜以實測值為設(shè)計依據(jù)。缺少實測數(shù)據(jù)時，可采用理論計算值再加上6dB～8dB的環(huán)境電平值作為干擾場強。

9.6.3 生產(chǎn)設(shè)備和儀器所允許的環(huán)境電磁場強度值，應(yīng)以產(chǎn)品技術(shù)說明要求為依據(jù)。

9.6.4 對需要采取電磁屏蔽措施的生產(chǎn)工序，在滿足生產(chǎn)操作和屏蔽結(jié)構(gòu)體易于實現(xiàn)的前提下，宜直接對生產(chǎn)工序中的設(shè)備工作地環(huán)境進(jìn)行屏蔽。

9.6.5 對需要采取電磁屏蔽措施的區(qū)域，屏蔽結(jié)構(gòu)的屏蔽效能應(yīng)在工作頻段有不小于10dB的余量。屏蔽室的電磁屏蔽效能，可按表9.6.5的數(shù)值確定。

表9.6.5  屏蔽室的電磁屏蔽效能

9.6.6 屏蔽措施可選擇下列方式：
1 直接對生產(chǎn)設(shè)備工作地環(huán)境進(jìn)行屏蔽時，宜選擇裝配式的商品屏蔽室;
2 對生產(chǎn)工序整體環(huán)境進(jìn)行屏蔽時，宜選擇非標(biāo)設(shè)計和施工安裝的屏蔽體;
3 對儀表計量房間的電磁進(jìn)行屏蔽時，裝配式的商品屏蔽室與非標(biāo)設(shè)計和施工安裝的屏蔽體均可采用。

9.6.7 屏蔽效果驗收測量應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《電磁屏蔽室屏蔽效能的測量方法》GB/T 12190的規(guī)定。

10 工藝相關(guān)系統(tǒng)

10.1 凈 化 區(qū)

10.1.1 生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度等級應(yīng)符合下列要求：
　　1 芯片生產(chǎn)廠房內(nèi)各潔凈區(qū)的空氣潔凈度等級應(yīng)根據(jù)芯片生產(chǎn)工藝及所使用的生產(chǎn)設(shè)備的要求確定;
　　2 潔凈度等級的劃分應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》GB 50073的規(guī)定;
　　3 潔凈區(qū)設(shè)計時，空氣潔凈度等級所處狀態(tài)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)條件確定。

10.1.2 生產(chǎn)環(huán)境的溫度、相對濕度指標(biāo)應(yīng)按芯片生產(chǎn)工序分別制定。一般潔凈區(qū)溫度應(yīng)控制在22℃±0.5℃～22℃±2℃，相對濕度應(yīng)控制在43%±3%～45%±10%。

10.1.3 潔凈區(qū)內(nèi)的新鮮空氣量應(yīng)取下列最大值：
　　1 補償室內(nèi)排風(fēng)量和保持室內(nèi)正壓值所需新鮮空氣量之和;
　　2 保證供給潔凈區(qū)內(nèi)人員所需的新鮮空氣量。

10.1.4 潔凈區(qū)與周圍的空間應(yīng)按工藝要求，保持一定的正壓值，并應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 不同等級的潔凈區(qū)之間壓差不應(yīng)小于5Pa;
　　2 潔凈區(qū)與非潔凈區(qū)之間壓差不應(yīng)小于5Pa;
　　3 潔凈區(qū)與室外的壓差不應(yīng)小于5Pa。

10.1.5　氣流流型的設(shè)計，應(yīng)符合下列要求：
　　1 氣流流型應(yīng)滿足空氣潔凈度等級的要求;
　　2 空氣潔凈度等級要求為1級～4級時，應(yīng)采用垂直單向流;
　　3 空氣潔凈度等級要求為5級時，宜采用垂直單向流;
　　4 空氣潔凈度等級要求6級～9級時，宜采用非單向流。

10.1.6 潔凈區(qū)的送風(fēng)量，應(yīng)取下列最大值：
　　1 為保證空氣潔凈度等級的送風(fēng)量;
　　2 消除潔凈區(qū)內(nèi)熱、濕負(fù)荷所需的送風(fēng)量;
　　3 向潔凈區(qū)內(nèi)供給的新鮮空氣量。

10.1.7 凈化系統(tǒng)的型式應(yīng)根據(jù)潔凈區(qū)面積、空氣潔凈度等級和產(chǎn)品生產(chǎn)工藝特點確定。

10.1.8 潔凈區(qū)的送風(fēng)宜采用下列方式：
　　1 潔凈區(qū)面積較小、潔凈度等級較低且潔凈區(qū)可擴展性不高時，宜采用集中送風(fēng)方式;
　　2 潔凈區(qū)面積大、潔凈度等級較高時，宜采用風(fēng)機過濾器機組(FFU)送風(fēng)。

10.1.9 對于面積較大的潔凈廠房宜設(shè)置集中新風(fēng)處理系統(tǒng)，新風(fēng)處理系統(tǒng)送風(fēng)機應(yīng)采取變頻措施。

10.1.10 對于有空氣分子污染控制要求的區(qū)域，可采取在新風(fēng)機組及該區(qū)域風(fēng)機過濾器機組上加裝化學(xué)過濾器的措施。

10.1.11 干盤管的設(shè)置應(yīng)符合下列要求：
　　1 應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝和潔凈區(qū)布局確定合理的安裝位置;
　　2 應(yīng)根據(jù)處理風(fēng)量、室內(nèi)冷負(fù)荷、風(fēng)機過濾器特性確定干盤管迎風(fēng)面速度和結(jié)構(gòu)參數(shù);
　　3 應(yīng)采取保證進(jìn)入干盤管的冷凍水溫度高于潔凈區(qū)內(nèi)空氣露點溫度的措施;
　　4 應(yīng)設(shè)置檢修排水設(shè)施。

10.2 工藝排風(fēng)

10.2.1 硅集成電路芯片工廠的工藝排風(fēng)系統(tǒng)設(shè)計，應(yīng)按工藝設(shè)備排風(fēng)性質(zhì)的不同分別設(shè)置獨立的排風(fēng)系統(tǒng)。

10.2.2 凡屬下列情況之一時，應(yīng)分別設(shè)置獨立的排風(fēng)系統(tǒng)：
　　1 兩種或兩種以上的氣體有害物混合后能引起燃燒或爆炸時;
　　2 混合后發(fā)生反應(yīng)，形成危害性更大或腐蝕性的混合物、化合物時;
　　3 混合后形成粉塵時。

10.2.3 潔凈區(qū)事故排風(fēng)系統(tǒng)的設(shè)計應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《采暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)設(shè)計規(guī)范》GB 50019的規(guī)定。

10.2.4 使用有毒有害物質(zhì)的房間排風(fēng)量應(yīng)滿足最小通風(fēng)量6次/h。

10.2.5 生產(chǎn)廠房工藝排風(fēng)系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置備用排風(fēng)機，并應(yīng)設(shè)置不間斷電源(UPS)。當(dāng)正常電力供應(yīng)中斷情況下，應(yīng)保證工藝排風(fēng)系統(tǒng)的排風(fēng)量不小于正常排風(fēng)量的50%。

10.2.6 生產(chǎn)廠房工藝排風(fēng)系統(tǒng)宜設(shè)置變頻調(diào)節(jié)系統(tǒng)。

10.2.7 易燃易爆工藝排風(fēng)管道上不應(yīng)設(shè)置熔斷式防火閥。工藝排風(fēng)管道不宜穿越防火分區(qū)的防火墻。

10.2.8 工藝排風(fēng)管道穿越有耐火時限要求的建筑構(gòu)件處，緊鄰建筑構(gòu)件的風(fēng)管管道應(yīng)采用與建筑構(gòu)件耐火時限相同的防火構(gòu)造進(jìn)行封閉或保護，每側(cè)長度不應(yīng)小于2m或風(fēng)管直徑的兩倍，并應(yīng)以其中較大者為準(zhǔn)。

10.2.9 工藝排風(fēng)管道應(yīng)采用不燃材料。

10.2.10 工藝排風(fēng)系統(tǒng)管道及設(shè)備應(yīng)設(shè)置防靜電接地裝置。

10.2.11 工藝排風(fēng)系統(tǒng)不應(yīng)兼作排煙系統(tǒng)使用。

10.3 純 水

10.3.1 硅集成電路芯片工廠純水系統(tǒng)設(shè)計應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝要求，合理確定純水制備系統(tǒng)的規(guī)模、供水水質(zhì)。

10.3.2 純水的制備、儲存和輸送的設(shè)備和材料，除應(yīng)滿足所需水量和水質(zhì)要求外，尚應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　 1 純水的制備、儲存和輸送設(shè)備的配置應(yīng)確保系統(tǒng)滿足運行安全可靠、技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟適用、便于操作維護等要求;
　　 2 純水的制備、儲存和輸送設(shè)備材料的選擇應(yīng)與其接觸的水質(zhì)相匹配，設(shè)備內(nèi)表面應(yīng)滿足光潔、平整等物理性能，同時應(yīng)化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、耐腐蝕、易清洗。

10.3.3 純水系統(tǒng)應(yīng)采用循環(huán)供水方式。純水輸配系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)水質(zhì)、水量、用水點數(shù)量、管道材質(zhì)以及使用點對水壓穩(wěn)定性等要求確定，可選擇采用單管式循環(huán)供水系統(tǒng)、直接回水的循環(huán)供水系統(tǒng)或逆向回水的循環(huán)供水系統(tǒng)，并應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 純水輸配系統(tǒng)的附加循環(huán)水量宜為額定耗用水量的25%～50%;
　　2 純水管道流速的選擇應(yīng)能有效地防止水質(zhì)降低和微生物的滋生，并應(yīng)兼顧壓力損失，供、回水管流速分別不宜低于1.5m/s和0.5m/s;
　　3 純水輸配管路系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)系統(tǒng)運行維護的需要設(shè)置必要的采樣口;
　　4 工藝設(shè)備二次配管，且截止閥離設(shè)備較遠(yuǎn)時，宜安裝回水管。

10.3.4 用于純水系統(tǒng)的水質(zhì)檢測設(shè)備及儀表，其安裝不應(yīng)使純水水質(zhì)降低，其檢測范圍和精度應(yīng)符合純水生產(chǎn)和檢驗的要求。

10.3.5 純水精處理或終端處理裝置宜靠近主要用水工藝設(shè)備設(shè)置。

10.3.6 純水系統(tǒng)管道材質(zhì)的選用，應(yīng)符合下列要求：
　　1 應(yīng)滿足純水水質(zhì)指標(biāo)的要求;
　　2 材料的化學(xué)穩(wěn)定性應(yīng)高;
　　3 管道物理性能應(yīng)好，內(nèi)壁光潔度應(yīng)高;
　　4 不得有滲氣現(xiàn)象。

10.3.7 純水管道的閥門和附件的選用應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 應(yīng)選擇與管道相同的材質(zhì);
　　2 應(yīng)選用密封好、結(jié)構(gòu)合理、無滲氣現(xiàn)象的閥門。

10.3.8 純水廢水回收設(shè)計應(yīng)與硅集成電路芯片生產(chǎn)工藝設(shè)計密切配合，并應(yīng)根據(jù)工程實際情況、回收水質(zhì)、水量，結(jié)合當(dāng)前的技術(shù)、經(jīng)濟條件等合理確定回收率。

10.3.9 回收水處理系統(tǒng)流程的擬定和設(shè)備的選擇，應(yīng)根據(jù)工程的具體情況、回收水水質(zhì)、水量以及處理后的用途等因素綜合確定。當(dāng)不能取得回收水水質(zhì)資料時，可按已建同類工程經(jīng)驗或科學(xué)實驗確定。

10.4 廢 水

10.4.1 硅集成電路芯片工廠生產(chǎn)廢水處理系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)廢水污染因子種類、水量、當(dāng)?shù)貜U水排放要求等設(shè)置分類收集、處理的廢水處理系統(tǒng)。

10.4.2 生產(chǎn)廢水處理系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置應(yīng)急廢水收集池。

10.4.3 連續(xù)處理的生產(chǎn)廢水系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置調(diào)節(jié)池，調(diào)節(jié)池的大小應(yīng)根據(jù)廢水水量及水質(zhì)變化規(guī)律確定。

10.4.4 廢水處理系統(tǒng)的設(shè)備及構(gòu)筑物應(yīng)設(shè)置放空設(shè)施。

10.4.5 生產(chǎn)廢水系統(tǒng)污泥脫水設(shè)備應(yīng)根據(jù)污泥脫水性能和脫水要求確定。

10.4.6 沉淀池所排出的污泥在進(jìn)行機械脫水前宜先進(jìn)行濃縮，污泥進(jìn)入脫水設(shè)備前的含水率不宜大于98%。

10.4.7 污泥脫水間應(yīng)預(yù)留脫水后泥餅的貯存或堆放的空間，并應(yīng)根據(jù)外運條件設(shè)置運輸設(shè)施和通道。

10.4.8 廢水處理系統(tǒng)的設(shè)備及構(gòu)筑物應(yīng)根據(jù)所接觸的水質(zhì)采取防腐措施。

10.4.9 廢水處理應(yīng)遵循節(jié)水優(yōu)先、分質(zhì)處理、優(yōu)先回用的原則。

10.5 工藝循環(huán)冷卻水

10.5.1 工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)的水溫、水壓及水質(zhì)要求，應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝條件確定。對于水溫、水壓、運行等要求差別較大的設(shè)備，工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)宜分開設(shè)置。

10.5.2 工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)的循環(huán)水泵宜采用變頻調(diào)速控制，應(yīng)設(shè)置備用泵，備用泵供水能力不應(yīng)小于最大一臺運行水泵的額定供水能力。

10.5.3 工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)的循環(huán)水泵供電形式，宜采用雙回路供電或采用大功率不間斷電源(UPS)裝置供電。

15.5.4 工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置過濾器，過濾器宜設(shè)置備用。過濾器的過濾精度應(yīng)根據(jù)工藝設(shè)備對水質(zhì)的要求確定。

10.5.5 工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)的換熱設(shè)備宜設(shè)置備用機組。

10.5.6 循環(huán)水箱的有效容積不應(yīng)小于總循環(huán)水量的10%，且應(yīng)設(shè)置低位報警裝置和大流量自動補水系統(tǒng)。

10.5.7 工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)的管路應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 配水管路應(yīng)滿足水力平衡的要求;
　　2 應(yīng)設(shè)置泄水閥或泄水口、排氣閥或排氣口和排污口;
　　3 工藝?yán)鋮s水管道的材質(zhì)，應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝的水質(zhì)要求確定，宜采用不銹鋼管、給水UPVC管或PP管，管道附件與閥門宜采用與管道相同的材質(zhì);
　　4 非保溫的不銹鋼管與碳鋼支吊架之間的隔墊應(yīng)采用絕緣材料，保溫不銹鋼管應(yīng)采用帶絕熱塊的保溫專用管卡。

10.5.8 工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)應(yīng)結(jié)合工藝用水設(shè)備、工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)的設(shè)備及管路、冷卻水水質(zhì)情況，合理設(shè)置水質(zhì)穩(wěn)定處理裝置。

10.6 大宗氣體

10.6.1 大宗氣體供應(yīng)系統(tǒng)宜在工廠廠區(qū)內(nèi)或鄰近處設(shè)置制氣裝置或采用外購液態(tài)氣儲罐或瓶裝氣體。

10.6.2 氫氣、氧氣管道的終端或最高點應(yīng)設(shè)置放散管。氫氣放散管口應(yīng)設(shè)置阻火器。

10.6.3 氣體純化裝置的設(shè)置，應(yīng)符合下列要求：
　　1 氣體純化裝置應(yīng)根據(jù)氣源和生產(chǎn)工藝對氣體純度、容許雜質(zhì)含量要求選擇;
　　2 氣體純化裝置應(yīng)設(shè)置在其專用的房間內(nèi)，氫氣純化器應(yīng)設(shè)置在獨立的房間內(nèi);
　　3 氣體終端純化裝置宜設(shè)置在鄰近用氣點處。

10.6.4 生產(chǎn)廠房內(nèi)的大宗氣體管道等應(yīng)采取下列安全技術(shù)措施：
　　1 管道及閥門附件應(yīng)經(jīng)脫脂處理;
　　2 應(yīng)設(shè)置導(dǎo)除靜電的接地設(shè)施;
　　3 氧氣引入管道上應(yīng)設(shè)置自動切斷閥。

10.6.5 氣體管道和閥門應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求選擇，宜符合下列規(guī)定：
　　1 氣體純度大于或等于99.9999%時，應(yīng)采用內(nèi)壁電拋光的低碳不銹鋼管，閥門應(yīng)采用隔膜閥;
　　2 氣體純度大于或等于99.999%、露點低于-76℃時，宜采用內(nèi)壁電拋光的低碳不銹鋼管或內(nèi)壁電拋光的不銹鋼管，閥門宜采用不銹鋼隔膜閥或波紋管閥;
　　3 氣體純度大于或等于99.99%、露點低于-60℃時，宜采用內(nèi)壁拋光的不銹鋼管，閥門宜采用球閥;
　　4 氣體管道閥門、附件的材質(zhì)宜與相連接的管道材質(zhì)一致。

10.6.6 氣體管道連接，應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 管道連接應(yīng)采用焊接;
　　2 不銹鋼管應(yīng)采用氬弧焊，宜采用自動氬弧焊或等離子熔融對接焊;
　　3 管道與設(shè)備或閥門的連接，宜采用表面密封的接頭或雙卡套，接頭或雙卡套的密封材料宜采用金屬墊或聚四氟乙烯墊。

10.7 干燥壓縮空氣

10.7.1 潔凈廠房內(nèi)的干燥壓縮空氣系統(tǒng)應(yīng)根據(jù)各類產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求、供氣量和供氣品質(zhì)等因素確定，并應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 干燥壓縮空氣系統(tǒng)的供氣規(guī)模應(yīng)按生產(chǎn)工藝所需實際用氣量及系統(tǒng)損耗量確定;
　　2 供氣設(shè)備可集中布置在生產(chǎn)廠房內(nèi)的供氣站或生產(chǎn)廠房外的綜合動力站;
　　3 供氣品質(zhì)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝對含水量、含油量、微粒粒徑要求確定;
　　4 應(yīng)選用能耗少、噪聲低的無油潤滑空氣壓縮機。

10.7.2 風(fēng)冷式空氣壓縮機及風(fēng)冷式干燥裝置的設(shè)備布置，應(yīng)防止冷卻空氣發(fā)生短路現(xiàn)象。

10.7.3 干燥壓縮空氣管道內(nèi)輸送露點低于-76℃時，宜采用內(nèi)壁電拋光不銹鋼管;露點低于-40℃時，可采用不銹鋼管或熱鍍鋅碳鋼管。閥門宜采用波紋管閥或球閥。

10.7.4 壓縮空氣系統(tǒng)的管道設(shè)計應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 壓縮空氣主管道的直徑應(yīng)按全系統(tǒng)實際用氣量進(jìn)行設(shè)計;主支管道的直徑應(yīng)按局部系統(tǒng)實際用氣量進(jìn)行設(shè)計;支管道的直徑應(yīng)按設(shè)備最大用氣量進(jìn)行設(shè)計;
　　2 干燥壓縮空氣輸送露點低于-40℃時，用于管道連接的密封材料宜選用金屬墊片或聚四氟乙烯墊片;
　　3 當(dāng)設(shè)計軟管連接時，宜選用金屬軟管;
　　4 管道連接宜采用焊接，不銹鋼管應(yīng)采用氬弧焊。

10.8 真 空

10.8.1 生產(chǎn)廠房工藝真空系統(tǒng)的設(shè)計，應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 工藝真空系統(tǒng)的抽氣能力應(yīng)按生產(chǎn)工藝所需實際用氣量及系統(tǒng)損耗量確定;
　　2 供氣設(shè)備應(yīng)布置在生產(chǎn)廠房內(nèi)的一個或多個供氣站內(nèi);
　　3 工藝真空設(shè)備應(yīng)選用能耗少、噪聲低的設(shè)備;
　　4 工藝真空設(shè)備應(yīng)根據(jù)工藝系統(tǒng)的實際情況選用水環(huán)式或干式真空泵;
　　5 工藝真空系統(tǒng)宜設(shè)置真空壓力過低保護裝置。

10.8.2 工藝真空系統(tǒng)的管道設(shè)計應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 工藝真空管路設(shè)計應(yīng)布置成樹枝狀形式;
　　2 工藝真空主管道的直徑應(yīng)按全系統(tǒng)實際抽氣量進(jìn)行設(shè)計;主支管道的直徑應(yīng)按局部系統(tǒng)實際抽氣量進(jìn)行設(shè)計;支管道的直徑應(yīng)按設(shè)備最大抽氣量進(jìn)行設(shè)計;
　　3 工藝真空系統(tǒng)的管道材料宜根據(jù)工藝真空系統(tǒng)的真空壓力及真空特性選用不銹鋼管或厚壁聚氯乙烯管道;
　　4 當(dāng)設(shè)計軟管連接時，應(yīng)選用金屬軟管。

10.8.3 生產(chǎn)廠房清掃真空系統(tǒng)應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 清掃真空系統(tǒng)的抽氣能力應(yīng)按同時使用清掃真空點的數(shù)量及每個使用點的抽氣量確定;
　　2 供氣設(shè)備應(yīng)布置在生產(chǎn)廠房內(nèi)的一個或多個供氣站內(nèi)，末端清掃設(shè)備應(yīng)設(shè)有過濾器;
　　3 清掃真空管路設(shè)計應(yīng)布置成樹枝狀形式，支管路應(yīng)采用成Y形接頭沿抽氣方向進(jìn)入主管路;
　　4 在凈化區(qū)面積較小時，可采用移動式清掃真空系統(tǒng)

10.9 特種氣體

10.9.1 特種氣體宜采用外購鋼瓶氣體供應(yīng)，在廠區(qū)內(nèi)應(yīng)設(shè)置儲存、分配系統(tǒng)。

10.9.2 特種氣體宜根據(jù)危險性質(zhì)和存儲數(shù)量設(shè)置獨立的氣瓶間。

10.9.3 潔凈區(qū)內(nèi)自燃、易燃、腐蝕性或有毒的特種氣體分配系統(tǒng)的設(shè)置，應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 危險氣體鋼瓶應(yīng)設(shè)置在具有連續(xù)機械排風(fēng)的特種氣體柜中;
　　2 排風(fēng)機、泄漏報警、自動切斷閥均應(yīng)設(shè)置應(yīng)急電源;
　　3 一個特種氣體分配系統(tǒng)供多臺生產(chǎn)設(shè)備使用時，應(yīng)設(shè)置多路閥門箱。

10.9.4 特種氣體分配系統(tǒng)應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 應(yīng)設(shè)置吹掃盤;
　　2 應(yīng)設(shè)置應(yīng)急切斷裝置;
　　3 應(yīng)設(shè)置過流量控制裝置;
　　4 應(yīng)設(shè)置手動隔離閥;
　　5 運行過程中的吹掃氣源不應(yīng)使用廠區(qū)內(nèi)大宗氣體系統(tǒng);
　　6 不相容特種氣體不得共用同一吹掃盤。

10.10 化 學(xué) 品

10.10.1 生產(chǎn)廠房內(nèi)化學(xué)品的儲存、輸送方式，應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝所使用化學(xué)品用量及其物理化學(xué)特性等確定。

10.10.2 生產(chǎn)廠房內(nèi)使用的各類化學(xué)品應(yīng)按各自的物理化學(xué)特性分類和儲存，并應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《化學(xué)品分類和危險性公示通則》GB 13690的有關(guān)規(guī)定。

10.10.3 在潔凈區(qū)內(nèi)使用危險化學(xué)品的生產(chǎn)設(shè)備、化學(xué)品儲存區(qū)(設(shè)備)，應(yīng)采取相應(yīng)的安全保護措施。

10.10.4 潔凈廠房內(nèi)各種化學(xué)品儲存間(區(qū))的設(shè)置，應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 易燃易爆化學(xué)品儲存、分配間應(yīng)靠外墻布置;
　　2 危險化學(xué)品儲存區(qū)域(間)和分配區(qū)(間)，不得設(shè)置人員密集房間和疏散走廊的上方、下方或貼鄰;
　　3 各類化學(xué)品儲存、分配間應(yīng)設(shè)置機械排風(fēng)。機械排風(fēng)系統(tǒng)應(yīng)提供緊急電源;
　　4 易燃易爆化學(xué)品儲存間、分配間應(yīng)采用不發(fā)生火花的防靜電地面;腐蝕性化學(xué)品應(yīng)采用防腐蝕地面。

10.10.5 當(dāng)設(shè)置集中分配間通過管道輸送化學(xué)品時，應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 輸送系統(tǒng)設(shè)備、管道的化學(xué)穩(wěn)定性應(yīng)與所輸送的化學(xué)品性質(zhì)相容;
　　2 分配間以及設(shè)備排風(fēng)應(yīng)根據(jù)化學(xué)品的性質(zhì)分類處理達(dá)到國家標(biāo)準(zhǔn)后排至大氣;
　　3 應(yīng)設(shè)置液位監(jiān)控和自動關(guān)閉裝置，并應(yīng)設(shè)置溢流應(yīng)對設(shè)施;
　　4 有機溶劑分配間應(yīng)設(shè)置相應(yīng)的泄漏濃度報警探頭，并應(yīng)與緊急排風(fēng)系統(tǒng)連鎖;
　　5 輸送易燃、易爆化學(xué)品的管道，應(yīng)設(shè)置靜電泄放的接地設(shè)施，
　　6 輸送易燃、易爆、腐蝕性化學(xué)品總管上應(yīng)設(shè)自動和手動切斷閥。

10.10.6 危險化學(xué)品的儲存、分配間，應(yīng)設(shè)置廢液收集系統(tǒng)，并應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 應(yīng)按化學(xué)品廢液成分和性質(zhì)分類收集;
　　2 物理化學(xué)特性不相容的化學(xué)品，不得排入同一種廢液收集系統(tǒng)。

10.10.7 液態(tài)危險化學(xué)品的儲存、分配間，應(yīng)設(shè)置溢出保護設(shè)施，并應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 防護堤形成的有效容積應(yīng)大于最大儲罐的容積;
　　2 兩種化學(xué)品混合將引起化學(xué)反應(yīng)時，不同化學(xué)品儲罐或罐組之間，應(yīng)設(shè)置防護隔堤;
　　3 應(yīng)設(shè)置液體泄漏報警和廢液收集系統(tǒng)。

10.10.8 根據(jù)化學(xué)品性質(zhì)在儲存間和分配間應(yīng)設(shè)置緊急淋浴器。

10.10.9 管道、閥門設(shè)計應(yīng)符合下列要求：
　　1 化學(xué)品系統(tǒng)管道材質(zhì)選用，應(yīng)按所輸送的化學(xué)品物理化學(xué)性質(zhì)和品質(zhì)要求確定，應(yīng)選擇化學(xué)穩(wěn)定性能和相容性能良好的材料;
　　2 化學(xué)品輸送管路系統(tǒng)，對多臺生產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)同一種化學(xué)品時，應(yīng)設(shè)置分配閥箱，并應(yīng)設(shè)置泄漏檢測報警系統(tǒng);
　　3 輸送非腐蝕性有機溶劑的管道材質(zhì)，宜采用低碳不銹鋼管;輸送酸、堿類和腐蝕性有機溶劑管道材質(zhì)，宜采用PFA或PTFE管，并應(yīng)設(shè)置防泄漏保護透明PVC套管;用于管道系統(tǒng)的墊片，宜采用與所輸送化學(xué)品相容的氟橡膠、聚四氟乙烯或其他與所輸送化學(xué)品相容的材料;
　　4 閥門和附件的材質(zhì)應(yīng)與管道材質(zhì)一致。

11 空間管理

11.0.1 硅集成電路芯片工廠室外空間管理，應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 室外管線宜采用架空敷設(shè)的方式集中布置;
　　2 室外管架不應(yīng)影響道路的正常通行;
　　3 室外管架與鄰近的建筑物的間距應(yīng)滿足管道安裝及維護的要求;
　　4 室外管架宜設(shè)置檢修馬道;
　　5 室外管架的空間和荷載應(yīng)為擴展留有余量。

11.0.2 生產(chǎn)廠房內(nèi)的空間管理應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 應(yīng)滿足設(shè)備的正常生產(chǎn)空間;
　　2 不應(yīng)影響設(shè)備維修以及搬入的空間;
　　3 應(yīng)滿足輔助設(shè)備的維修、安裝以及搬入;
　　4 應(yīng)滿足設(shè)備檢修的空間;
　　5 管線之間以及管線與建筑物之間應(yīng)預(yù)留足夠的安裝維修空間;
　　6 應(yīng)計及管道入口的空間及管道井的位置;
　　7 應(yīng)為今后擴展預(yù)留管道空間和荷載。

11.0.3 生產(chǎn)廠房內(nèi)的管道應(yīng)利用凈化區(qū)上、下技術(shù)夾層的空間進(jìn)行布置。

11.0.4 凈化區(qū)上技術(shù)夾層內(nèi)除消防管道外，不宜設(shè)置水管及其他液體輸送管道。

11.0.5 主要管線在上技術(shù)夾層布置時，應(yīng)計及氣流組織的空間、排風(fēng)管道和大宗氣體以及特種氣體管道敷設(shè)的空間高度。

11.0.6 在上技術(shù)夾層內(nèi)宜設(shè)置檢修通道。

11.0.7 主要管線在下技術(shù)夾層布置時，應(yīng)計及輔助設(shè)備、主管、支管、二次配管和消防噴淋管道的空間高度。

11.0.8 在管道種類多，空間有限的區(qū)域宜設(shè)置公共管架，并應(yīng)符合下列規(guī)定：
　　1 在華夫板下和凈化區(qū)高架地板下應(yīng)留有二次配管配線的空間;
　　2 尺寸較大的管道宜布置在公共管架的上層;
　　3 有坡度要求的管道宜布置在管道的下層;
　　4 管道改變方式時宜同時改變管道的標(biāo)高;
　　5 應(yīng)為今后擴展預(yù)留管道空間和荷載;
　　6 由梁、柱承重的公共管架宜在結(jié)構(gòu)施工時預(yù)埋承重構(gòu)件。

12 環(huán)境安全衛(wèi)生

12.0.1 硅集成電路芯片工廠應(yīng)具有對環(huán)境、安全及衛(wèi)生進(jìn)行監(jiān)控的設(shè)施。

12.0.2 8英寸～12英寸硅集成電路芯片工廠宜設(shè)置健康中心，并應(yīng)具備工傷急救及一般醫(yī)療、轉(zhuǎn)診及咨詢的設(shè)施。

12.0.3 8英寸～12英寸硅集成電路芯片工廠宜在靠近生產(chǎn)區(qū)入口處設(shè)置專人全天職守的緊急應(yīng)變中心(ERC)，并應(yīng)符合下列要求：
　　1 應(yīng)制定緊急應(yīng)變程序;
　　2 應(yīng)設(shè)置防災(zāi)及生命安全監(jiān)控系統(tǒng);
　　3 應(yīng)配備緊急應(yīng)變器材。